电力电子模拟试卷二(附答案).docx

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一、填空题〔此题共6小题,每空1分,共15分〕

1、GTR 存在二次击穿现象, IGBT 存在擎住现象。

2、功率因数由基波电流相移和电流波形畸变这两个因素共同打算的。

3、晶闸管串联时,给每只管子并联一样阻值的电阻R是均压_措施。

4、同一晶闸管,维持电流I与掣住电流I在数值大小上有I_2~4I。

H L L H

5、电力变换通常可分为:沟通变直流、直流变沟通、直流变直流和沟通变沟通。

6、在以下图中,V1和VD1构成降压斩波电路使直流电动机电动运行,工作于第1象

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