TB151单晶制绒工艺培训-初级.pptxVIP

TB151单晶制绒工艺培训-初级;制绒目的

制绒原理

制绒工艺流程

添加剂工作原理

工艺常见问题以及解决方法

;对硅片外表进行清洗，去除各种杂质

去除硅片外表的机械损伤层，减少外表复合中心

在硅片外表形成绒面，根据陷光原理，增加太阳光的吸收，降低反射率

增加PN结面积

;陷光原理;反响原理;制绒原理：各向异性腐蚀;单晶绒面照片;制绒工艺流程;高温下，由NaOH/KOH+H2O2组成预清洗槽；

在制绒前，去除原硅片外表的各种杂质；

有助于获得更为均匀的绒面；

有助于解决各种外观问题

;由NaOH/KOH+TB151制绒添加剂组成碱制绒液；

温度大约80度；

制绒时间：720—1200s

减重范围：

反射率：13%

绒面尺寸：1—3um

;常温下，由NaOH/KOH+H2O2组成后清洗槽；

在制绒后，有效去除残留在硅片外表的各种杂质，主要是添加剂中有机物；

有助于减少硅片外表污染，提高电池效率；

;脱泡作用

起核作用

缓蚀作用

清洗作用：清洗残留在原硅片上的杂质，主要是有机物

;在制绒过程中，会生成大量的氢气。氢气容易吸附在硅片的外表，从而阻止碱对硅的进一步腐蚀，产生雨滴印。

一般添加剂中会参加相关的外表活性剂和高沸点的醇来降低溶液的外表张力，以帮助氢气脱离硅片外表;起核点一般都是锥形体的顶点。

反响产物中的氢气泡可以帮助起核〔起核点较少，绒面可能会较大，而且不均匀〕

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