- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种氧化物烧结体及其制备方法、氧化物靶材及应用,涉及半导体技术领域。通过在氧化铟烧结体中引入稀土氧化物和第二金属化合物,第二金属化合物为金属氧化物和/或金属氟化物,一方面可以和氧化铟的铟电子轨道形成耦合电子通道,改善其所制作的薄膜特性,提升器件性能;另一方面,稀土氧化物形成微小晶粒嵌入主体材料晶粒的间隙,形成致密的烧结体,从而能获得高度致密的陶瓷靶材。本发明提供的氧化物烧结体通过优化组成和制备方法,可以获得高致密度的烧结体或靶材,有利于使晶粒尺寸可控且分布可控。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117776675A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311830911.2C23C14/34(2006.01)
(22)申请日2023.12.
文档评论(0)