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本实用新型实施例提供一种半导体封装。半导体封装包括:第一管芯,设置于第一重布线结构上且与其电性耦合,并且被第一绝缘包封体在侧向上覆盖;第二管芯,设置于第一管芯之上且被第二绝缘包封体在侧向上覆盖;第二重布线结构,插入于第一与第二管芯之间且与其电性耦合;第三重布线结构,设置于第二管芯上且与第二重布线结构相对;以及散热特征,嵌入于第三重布线结构的介电层中且经由介电层而与第三重布线结构的图案化导电层电性隔离。第一管芯的衬底穿孔在实体上连接至第一或第二重布线结构。散热特征热耦合至第二管芯的后表面。
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220693635U
(45)授权公告日2024.03.29
(21)申请号202322079304.9
(22)申请日2023.08.03
(30)优先权数据
17/880,6872022
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