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本发明提供了一种外延生长方法及装置，属于半导体制造技术领域。外延生长方法，包括：将晶圆送入外延反应腔室，在所述晶圆上生长外延层；获取所述外延层的电阻率信息，所述外延层划分为多个区域，所述电阻率信息包括所述外延层各个区域的电阻率；判断所述电阻率信息是否满足预设的电阻率均一性要求，若不满足，调整所述外延反应腔室的加热模组的位置，直至所述电阻率信息满足预设的电阻率均一性要求。本发明的技术方案能够对外延反应腔室的温场进行调节，改善外延晶圆的电阻率均一性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790351A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311836088.6
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人西安奕斯伟材料科
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