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本发明提供了一种含有pn结隔离结构的围栅晶体管的制备方法，包括：提供一衬底、交替堆叠于衬底上的若干沟道层与若干牺牲层、假栅结构以及内侧墙；分别在第二区域覆盖第一掩膜层，并以第一掩膜层为掩膜，在衬底的第一区域注入第一离子；并在第一区域覆盖第二掩膜层，并以第二掩膜层为掩膜，在第二区域注入第二离子，以分别在第一区域与第二区域形成第一源区与第一漏区；分别在第一源区与第一漏区的表面外延第二源区与第二漏区；第二源区和第二漏区中注入的离子类型与第一漏区中注入的离子类型相同；去除假栅结构；释放若干牺牲层；并形成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790315A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311822609.2
(22)申请日2023.12.27
(71)申请人复旦大学
地址200433
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