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本申请的各实施方式总体上涉及结电极、离子阱芯片、结电极离子输运及电压优化方法。具体地，本申请涉及一种结电极，该结电极包括：多个子电极，多个子电极形成几何输运通道，几何输运通道至少包括非直线通道段和直线通道段；其中，邻近非直线通道段对应的至少部分子电极与其余直线通道段对应的子电极的交流电压可配置为不同，以降低非直线通道段对应的供离子输运的赝势通道的势垒。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790281A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202410011100.8
(22)申请日2024.01.04
(66)本国优先权数据
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