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一种改善砷化镓基材料表面保护层脱落的方法及光电器件.pdfVIP

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  • 2024-03-30 发布于四川
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一种改善砷化镓基材料表面保护层脱落的方法及光电器件.pdf

    本公开涉及芯片制造技术领域，提供了一种改善砷化镓基材料表面保护层脱落的方法及光电器件。该方法包括提供待沉积保护层的砷化镓基材料芯片；利用活化改性等离子体对所述砷化镓基材料芯片表面进行处理，以去除所述砷化镓基材料芯片表面的氧化层；通过原子层沉积方式在所述砷化镓基材料芯片表面沉积保护层，获得已沉积保护层的砷化镓基材料芯片。采用本公开的方法，能够有效增强砷化镓表面与保护层之间的粘附力，同时操作简单高效，成本低廉，可靠性强。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790586A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202311521184.1

    (22)申请日2023.11.14

    (71)申请人浙江博升光电科技

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