基于TSV的双层四阶交叉耦合SIW滤波器.pdfVIP

基于TSV的双层四阶交叉耦合SIW滤波器.pdf

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本发明公开了一种基于TSV的双层四阶交叉耦合SIW滤波器,自上而下依次包括:第一金属层,包括输入端口和输出端口;第一衬底层,包括多个第一通孔,多个第一通孔形成第一谐振腔与第二谐振腔,二者通过共用的侧壁窗口产生磁耦合;第二金属层,包括第一凹槽和第二凹槽;第二衬底层,包括多个第二通孔,多个第二通孔形成第三谐振腔与第四谐振腔,二者通过共用的侧壁窗口产生磁耦合,第一凹槽用于在第一谐振腔与第三谐振腔之间引入电耦合,第二凹槽用于在第二谐振腔与第四谐振腔之间引入磁耦合;位于第二衬底层远离第二金属层一侧的第三金

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117791069A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202410070044.5

(22)申请日2024.01.17

(71)申请人西安电子科技大学

地址7100

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