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本发明公开了一种新型perc背面膜层结构及镀膜方法，包括：P型硅基，所述P型硅基正面设置有N型发射极；所述P型硅基位于N型发射极外还覆盖有氧化硅层，所述氧化硅层外还覆盖有减反膜；正面电极，所述正面电极设置于P型硅基正面；钝化膜，所述钝化膜设置于P型硅基背面，用于对P型硅基起到钝化的作用；增反膜，所述增反膜覆盖在钝化膜外侧，增反膜用于反射长波光，通过发挥氮氧化硅折射率范围大的优势，根据不同的氮硅比例实现钝化、增加内反射的效果，膜层结构虽然复杂，但是本质都是氮氧化硅，只需工艺端调整硅烷、氨气、笑气流
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790594A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311824783.0
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人滁州亿晶光电科技
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