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薄膜晶体管及其制备方法.pdfVIP

薄膜晶体管及其制备方法.pdf

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    本公开提供了一种薄膜晶体管，可以应用于半导体技术领域。该薄膜晶体管包括：基板；栅极金属层，栅极金属层下表面贴合基板；介质层，介质层下表面贴合栅极金属层上表面、侧表面和基板的至少部分上表面；沟道层，设置于介质层上方，沟道层材料包括InSeO薄膜；以及源极和漏极，分别位于沟道层两端。本公开还提供了一种薄膜晶体管的制备方法。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117790582A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202311842082.X

    (22)申请日2023.12.28

    (71)申请人中国科学院微电子研究所

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