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本申请公开一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一基底，该基底包括一阵列区域及一周边区域；以及一周边栅极结构，包括：一周边栅极介电层，向内设置于该基底的该周边区域中，并包括一U形截面轮廓；一周边栅极导体，包括一底部及一颈部，该底部设置于该周边栅极介电层上，该颈部设置于该底部上；以及一周边栅极封盖层，设置于该周边栅极介电层与该底部上并围绕该颈部。该周边栅极封盖层的一顶面与该颈部的一顶面实质上共面。该周边栅极结构包括一顶部设置于该颈部上，且该顶部的一宽度大于该颈部的一宽度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790546A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311768177.1H01L21/8234(2006.01)
(22)申请日2023.0
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