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一种单晶生长装置和单晶生长方法.pdfVIP

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  • 2024-03-30 发布于四川
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一种单晶生长装置和单晶生长方法.pdf

    本发明属于单晶生长设备技术领域，具体涉及一种单晶生长装置和单晶生长方法，包括：充气部，其整体安装在保温罩的中部开口处，且其具有第一气流通道以及分别与第一气流通道连通的上部进气口、侧面出气口、底部出气口；芯轴，其至少部分套设在第一气流通道内，且其内部开设有具有芯轴进气口、芯轴出气口的第二气流通道，且位于芯轴进气口和芯轴出气口之间的部分芯轴外设置有凸起部，且芯轴与充气部在沿气流方向上能相对移动，通过凸起部调节经第一气流通道流向侧面出气口和第二气流通道的气流比例。本发明能够实现对坩埚上端面的温度调控，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117779179A

    (43)申请公布日2024.03.29

    (21)申请号202410199685.0

    (22)申请日2024.02.23

    (71)申请人苏州优晶半导体科技股份有限公司

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