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2024-03-30 发布于四川
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一种带凹槽半导体结构的机械减薄方法.pdf

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本发明公开一种带凹槽半导体结构的机械减薄方法，涉及MEMS微纳加工领域。该带凹槽半导体结构的机械减薄方法，包括以下步骤：S1：预备待减薄的带凹槽半导体结构，使凹槽内填充有填充结构；S2：将步骤S1所得结构置于减薄机台对其减薄面进行机械减薄。该带凹槽半导体结构的机械减薄方法，在不改变原始所需MEMS结构的基础上，仅通过在器件工艺过程中的无效区增加特定的结构，即达到改善减薄面出现凹槽结构时引起的边沿崩边损伤。由于该方案仅对结构进行优化设计来改善减薄效果，对减薄机台和工艺条件没有严苛的要求，进而达到高

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117776100A

(43)申请公布日2024.03.29

(21)申请号202311705906.9

(22)申请日2023.12.13

(71)申请人武汉高芯科技有限公司

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