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本发明公开了一种P‑MoS2材料的制备方法，所述P‑MoS2材料由多个纳米片规律堆叠形成形貌均一、分散均匀的纳米花球结构，该方法包括有以下步骤：1)取适量钼源分散于70mL去离子水中搅拌至溶解；2)在步骤1)所得溶液中加入一定量的硫源，磁力搅拌至完全溶解；3)在步骤2)所得溶液中缓慢加入一定量的磷源，磁力搅拌至完全溶解；4)将步骤3)所得溶液转移至高温反应釜中进行水热反应，得到沉淀，用无水乙醇或水反复洗涤，放入真空干燥箱中烘干，得到P‑MoS2材料。本发明具有工艺简单、反应条件温和、材料电化学性
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117776264A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311712137.5
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人珠海清杰能源科技
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