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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构,制造方法包括:提供衬底,在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽;第二沟槽包括在第三方向间隔设置的位线槽和电极槽;第一沟槽包括多个在第一方向排布的第一子沟槽,位线槽包括多个在第一方向排布的子位线槽,电极槽包括多个在第一方向排布的子电极槽;在相邻第一子沟槽的交界处形成背向第一沟槽凸出的字线;在第一子沟槽的侧壁形成第一源漏层;在相邻子位线槽的交界处形成背向第二沟槽凸出的第二源漏层;在电极槽内形成与衬底电连接的电极层。本公开实施例至少可以提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117794239A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202211154217.9
(22)申请日2022.09.21
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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