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本发明公开了一种高致密陶瓷的制备方法，包括下列步骤：1)一次混料，2)二次混料，3)三次混料，4)挤出、干燥与烧结，保温冷却到室温得到陶瓷烧结体，打磨抛光后得到高致密陶瓷；本发明的制备方法能够提供高纯度的碳化硅材料，其中杂质含量极低，有助于提高材料的稳定性和可靠性；克服了反应烧结致密度有限的问题，有效降低了制备成本；产品具有高抗弯强度，延长了产品的使用寿命，有效减少了资源的浪费。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117776730A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202311829040.2
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人穆智（上海）新能源科技有限公司
地
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