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本发明公开了一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路。所述GaN器件是在传统的HEMT增强型器件结构基础上，在沟道层和缓冲层之间插入了一个背部阻挡层。当栅极和源极加正偏压时，会在背部阻挡层上表面形成一层空穴扩展层，该空穴扩展层可以屏蔽缓冲层中的负电中心，还可以屏蔽衬底电压对二维电子气的调制作用，从而能有效地抑制电流崩塌效应和衬底效应，从而实现高动态稳定性、低动态导通电阻的GaN器件。基于该GaN器件的桥式集成电路可以有效地降低器件互连时的寄生效应，提高GaN电路的工作频率和工作效率，且集成
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117790534A
(43)申请公布日2024.03.29
(21)申请号202211417832.4
(22)申请日2022.11.14
(71)申请人北京大学
地址100871北京
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