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光敏电阻的光电特性

【目的要求】

1．了解光电导型光电传感器的特点；

2．测量光敏电阻的光电特性。

【实验原理】

将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测

直接由光强度变化引起的非电量，如光强、光照度等；也可用来检测能转换成光量变化的其

它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。

光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得

到广泛应用。

1.光电效应：

光敏传感器的物理基础是光电效应，光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大

类。在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射称为外光电效应，或光电子发射

效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。电子并不逸出材料表面的则是内

光电效应，光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。半导体材料的许多电学特性都因

受到光的照射而发生变化，几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、

光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。

2.光敏传感器的基本特性：

光敏传感器的基本特性包括：伏安特性、光照特性等。

(1)伏安特性：

IU

光敏传感器在一定的入射光照度下，光敏元件的电流与所加电压之间的关系称为光

敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一簇伏安特性曲线，它是传感器应用设计时的重要

依据。

(2)光照特性：

光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出

电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应用设计时选择参数

的重要依据之一。

3.光敏电阻：

（1）光敏电阻的结构与工作原理

利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目前光敏电阻应用

极为广泛，其基本结构见图14-1。

其工作过程为，当光敏电阻受到光照时，发生内光电效应，光敏电阻电导率的改变量为：

pene（1）

pn

epn

在（1）式中，为电荷电量，为空穴浓度的改变量，为电子浓度的改变量，

U

表示迁移率。当两端加上电压后，光电流为：

A

IU（2）

phd

Ad

式中为与电流垂直的表面积，为电极间的间距。在一定的光照度下，为恒定的值，

因而光电流和电压成线性关系。

（2）光敏电阻的主要参数

光敏电阻的主要参数有：

①暗电阻：光敏电阻在不受光照射时的阻值称为暗电阻，此时流过的电流称为暗电流。

②亮电阻：光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。

③光电流：亮电流与暗电流之差称为光电流。

（3）光敏电阻的基本特性

①伏安特性：在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系称为光

敏电阻的伏安特性。图14-2为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。由图可见，在一定的电压

范围内，光敏电阻的伏安特性曲线为直线。

②光照特性：光敏电阻的光照特性是描述光电流和光照强度之间的关系，不同材料的光

照特性是不同的，绝大多数光敏电阻光照特性是非线性的。图14-3为硫化镉光敏电阻的光

照特性曲线。

不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但是在大多数的情况下，曲线的形状都与图14-3

的结果类似。由于光敏电阻的光照