电磁炉工作原理和电磁炉电路图分析范文.pdf

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电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析

电磁炉工作原理及电磁炉电路图分析一

一.电磁加热原理

电磁炉是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部,由整流电路将50/60Hz的交流电压变成

直流电压,再经过控制电路将直流电压转换成频率为20-40KHz的高频电压,高速变化的电流流过线圈会产生高速变化

的磁场,当磁场内的磁力线通过金属器皿导磁又导电材料底部金属体内产生无数的小涡流,使器皿本身自行高速发

热,然后再加热器皿内的东西。

二、电磁炉电路工作原理分析

2.1常用元器件简介

2.1.1LM339集成电路

LM339内置四个翻转电压为6mV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时+输入端电压高于-入输端电

压,置于LM339内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路;当电压比较器输入端电压反向时-输

入端电压高于+输入端电压,置于LM339内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,

此时输出端为0V。

2.1.2IGBT

绝缘双栅极晶体管IusulatedGateBipolarTransistor简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励

场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个

MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极见上图,分别称为栅极G也叫控制极或门

极、集电极C亦称漏极及发射极E也称源极。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个

致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。

IGBT的特点:

1.电流密度大,是MOSFET的数十倍。

2.输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。

3.低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下,其导通电阻Rceon不大于MOSFET的Rdson的10%。4.击穿电

压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5.开关速度快,关断时间短,耐压1kV~1.8kV的约1.2us、600V级

的约0.2us,约为GTR的10%,接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHz,开关损耗仅为GTR的30%。IGBT将场控

型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。

目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:

1SGW25N120西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极

管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管D11使用,该IGBT配套10A/1200/1500V以上的快

速恢复二极管D11后可代用SKW25N120。

2SKW25N120西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,

该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。

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3GT40Q321东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A,内部带阻尼二极管,该

IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆

除不装。

4GT40T101东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所

以应用时