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一种多级孔纯硅分子筛及其制备方法和应用.pdfVIP

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  • 2024-04-03 发布于四川
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一种多级孔纯硅分子筛及其制备方法和应用.pdf

    本公开涉及一种多级孔全硅分子筛及其制备方法和应用。在多级孔全硅分子筛的1HMASNMR谱图的1～6ppm化学位移范围内谱峰的分峰结果中：将1.7～1.9ppm化学位移范围内谱峰的峰面积记为A1，将2.0～2.2ppm化学位移范围内谱峰的峰面积记为A2，将3.1～3.3ppm化学位移范围内谱峰的峰面积记为A3，将4.4～4.6ppm化学位移范围内谱峰的峰面积记为A4，将A1～A4峰面积之和记为A0；X1‑1＝A1/A0×100％，X1‑2＝A2/A0×100％，X1‑3＝A3/A0×100％，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117800348A

    (43)申请公布日2024.04.02

    (21)申请号202211139827.1B01J29/03(2006.01)

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