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本发明提供一种多栅指GaNHEMT器件的静态热阻提取方法，该结合二维物理仿真、三维有限元热仿真和红外热成像测试，考虑了多栅指GaNHEMT器件沟道内不均匀的热耗散功率分布以及栅指间和栅指内的电热耦合效应，最终与红外热成像结果进行对比验证，得到了精确的多栅指GaNHEMT热模型。本发明还同时解决了红外热成像法仅能获取器件表面热分布且空间分辨率较低、二维电热仿真忽略沿垂直沟道方向热扩散、三维有限元热仿真忽略栅指间和栅指内电热耦合效应等问题，显著提高了多栅指GaNHEMT器件的静态热阻提取精度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117807835A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311845692.5
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术
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