一种基于掺硼硅层的选择性硼发射极制备方法.pdfVIP

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2024-04-03 发布于四川
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一种基于掺硼硅层的选择性硼发射极制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于掺硼硅层的选择性硼发射极制备方法，该制备方法为：首先在n型硅片表面沉积一定厚度的掺硼硅层作为后续实现硅基底内硼扩散的硼源；再在后续太阳电池制备需要进行金属接触的区域进行图形化激光处理；随后，进行高温氧化处理，在此过程中未经激光处理区域的掺硼硅层中硼原子在高温作用下开始活化并扩散进硅基底构成轻掺杂区域，而激光处理区域的硼原子也在高温作用下进一步活化和扩散形成重掺杂区域；与此同时，沉积的掺硼硅层被彻底氧化为硼硅玻璃，随后使用氢氟酸进行彻底去除，本发明提供的制备方法可以显著改善n型

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117810294A

(43)申请公布日2024.04.02

(21)申请号202311682027.9

(22)申请日2023.12.08

(71)申请人南昌航空大学

地址330000

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