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本发明涉及一种光固化工艺的监测方法及光固化装置。所述光固化工艺的监测方法包括如下步骤：提供基底；形成前驱层和介电材料层于所述基底上，所述前驱层在固化光源照射下能够产生监测物；采用所述固化光源照射所述前驱层和所述介电材料层，并监测所述监测物的浓度是否达到第一预设值，若是，则停止采用所述固化光源照射所述介电材料层，形成介电层。本发明确保了所述介电层的介电常数的稳定性，降低了光固化工艺的成本，并提高了光固化工艺的开发效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810133A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410008443.9
(22)申请日2024.01.03
(71)申请人上海积塔半导体有限公司
地址2
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