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一种压电晶片及其制作方法、弹性波装置，涉及半导体技术领域。该该压电晶片的制作方法包括：对压电晶体进行切片处理，以得到压电晶片；对压电晶片进行第一次还原处理；对压电晶片进行氧化处理；对压电晶片进行第二次还原处理，使得压电晶片的DE值小于或等于3，其中，DE值用于表征压电晶片的片内均匀性，DE值通过如下公式计算得到：其中，从压电晶片的中心区域和边缘区域取几个均匀分布的点检测色度L，其中Lmax为上述多个点的L值中的最大值，Lmin为上述多个点的L值中的最小值。该制作方法能够有效改善压电晶片的黑化均匀
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117812986A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311765188.4
(22)申请日2023.12.20
(71)申请人泉州市三安集成电
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