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本发明属于半导体工艺领域，具体涉及一种硅基微孔金刚石衬底氮化镓晶圆及键合方法，包括由下至上依次层叠设置的金刚石薄膜层、中间键合硅层和氮化镓有源层，所述中间键合硅层具有通孔的中间键合介质层，所述金刚石薄膜层为晶圆散热层，所述氮化镓有源层为晶圆有源层，本申请用于提高金刚石与氮化镓晶圆的键合强度，增大氮化镓器件沟道中热量传导于金刚石衬底上，通过提高晶圆尺寸减小键合成本，键合金刚石与氮化镓晶圆成品率可得到有效提高。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810192A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202410020419.7
(22)申请日2024.01.05
(71)申请人重庆邮电大学
地址400065
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