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- 2024-04-03 发布于四川
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本申请提供一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有像素区域；滤色层，位于所述半导体衬底表面，所述滤色层包括位于所述半导体衬底表面的透光层和位于所述透光层表面的若干呈矩阵分布的滤光柱，其中，相邻滤光柱中心的距离在红外光的波长范围内。本申请提供一种图像传感器及其形成方法，滤色层为由透光层和具有特定图案的滤光柱构成的超表面结构，滤色层的寿命更高，且滤色层可以根据不同像素区域针对设置，滤色层的滤光性能更好。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810231A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202211164517.5
(22)申请日2022.09.23
(71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限
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