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本发明提供一种LED外延结构、LED芯片和发光装置，该LED外延结构包括自下而上叠置的衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层，有源层包括n对阱层与垒层的组合。阱层的结构材料为(AlX1Ga1‑X1)Y1In1‑Y1P，垒层的结构材料为(AlX2Ga1‑X2)Y2In1‑Y2P，相对于现有技术方案，本申请将阱层及垒层的In含量同步进行降低，因阱层与垒层之间仍然保持着一定的In含量差异，也就保证了阱层的压应力，不会对发光效率造成影响。同时，降低的In含量又缩减了阱层与衬底之间晶格常数的差异，减少位
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810322A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311644060.2
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人天津三安光电有限公司
地址30
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