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- 2024-04-03 发布于四川
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本发明提供一种尺寸在10nm以下的电极间隙的制备方法和用途。所述电极的制备方法包括以下步骤：(1)将电子束抗蚀剂旋涂于衬底后烘烤，形成电子束抗蚀剂层；设计对顶结构的交叠型图形作为掩模图形；(2)按步骤(1)设计好的掩模图形利用电子束对旋涂电子束抗蚀剂层的衬底进行曝光，并经过显影、定影、蒸镀电极，得到尺寸在10nm以下的电极间隙。所述制备方法通过欠曝光来抵消邻近效应的影响，实现尺寸在10nm以下的电极间隙的加工和制备。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112086345A
(43)申请公布日2020.12.15
(21)申请号202011099220.6G03F7/20(2006.01)
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