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本公开涉及单片集成在同一半导体管芯中的沟槽栅极NMOS晶体管和沟槽栅极PMOS晶体管。一种半导体管芯包括：硅基底；沟槽栅极NMOS晶体管，被形成在所述硅基底的第一装置区中；沟槽栅极PMOS晶体管，被形成在所述硅基底的第二装置区中，并且按照电气方式连接到所述沟槽栅极NMOS晶体管；和隔离结构，被插入在所述第一装置区和所述第二装置区之间。还描述了将沟槽栅极NMOS晶体管和沟槽栅极PMOS晶体管单片集成同一半导体管芯中的方法。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810228A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311279468.4
(22)申请日2023.09.28
(30)优先权数据
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