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本发明公开了一种基于InGaN/CoNi‑MOF异质结光电极及其制备方法与应用；该异质结构包括Si衬底、生长在Si衬底上的InGaN纳米柱、以及负载在InGaN纳米柱表面的CoNi‑MOF。本发明所制备的InGaN/CoNi‑MOF异质结光电极，MOF结构可以有效增加催化活性位点，提高InGaN纳米柱光生载流子的输运特性，从而显著提高InGaN纳米柱的光电转换效率；同时，本发明所提出的刻蚀转移法可以解决MOF在纳米柱上生长调控困难的问题，为MOF在其他衬底上的制备提供新的思路。本发明公开的基于I
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117802530A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311675805.1
(22)申请日2023.12.08
(71)申请人华南理工大学
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