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本申请提供了一种LED芯片、LED芯片制作方法及发光装置,该LED芯片至少包括外延结构及电流扩展层,其中,外延结构具有出光面以及与所述出光面相对的背面,外延结构的出光面为具有微结构的粗化表面,微结构包括凹陷区,以及位于凹陷区之间的平坦区;电流扩展层覆盖于外延结构的平坦区的表面,以形成网状覆盖层。通过将外延结构的出光面形成为具有微结构的粗化表面,由此能够增加LED芯片的光萃取率,电流扩展层确保LED芯片的电流注入效率,从而保证了芯片质量可靠性,呈网状覆盖的电流扩展层减小了其整体覆盖面积和对光线的吸
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117810336A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202311715901.4
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人泉州三安半导体科技有限公司
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