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- 2024-04-03 发布于四川
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本发明公开一种自旋轨道转矩式磁阻式随机存取存储器结构，其包含一字线，一第二源极/漏极掺杂区和一第四源极/漏极掺杂区设置于字线的同一侧，一第一导电线接触第二源极/漏极掺杂区，一第二导电线接触第四源极/漏极掺杂区，其中第二导电线包含一第三金属垫，一存储元件接触第一导电线的末端，一第二自旋轨道转矩元件覆盖于存储元件上方并且接触存储元件，其中第三金属垫覆盖并接触第二自旋轨道转矩元件的部分的上表面。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117812916A
(43)申请公布日2024.04.02
(21)申请号202211157193.2
(22)申请日2022.09.22
(71)申请人联华电子股份有限公司
地址中国
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