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本发明涉及一种基于硅基室温红外热电子光电探测器、制备方法及应用，包括基底和设置在基底上的平面多层结构，平面多层结构包括：底部导电电极、硅膜层、过渡金属膜层和透明电介质膜层，底部导电电极与硅膜层形成欧姆接触，构成光学反射器；硅膜层与过渡金属膜层形成肖特基接触，设置硅膜层的厚度小于硅膜层与过渡金属膜层形成肖特基结的耗尽层宽度，过渡金属膜层吸收近红外光，产生热电子注入到硅膜层中，热电子被底部电极收集形成光电流；透明电介质膜层作为减反层，能够减少入射光的反射。本发明的光电探测器具有宽带吸收、结构简单、响
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832316A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311837445.0H01L31/0216(2014.01)
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