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在一个方面中，在工艺腔室中在第一压力下执行工艺操作，且在外延沉积腔室中在大气压下执行外延沉积操作。大气压高于第一压力。将工艺腔室安装至在第一压力(减小的压力)下操作的第一主机，且将外延沉积腔室安装至在大气压下操作的第二主机。在一个方面中，工艺腔室是清洁腔室(诸如预清洁腔室)，且工艺操作是清洁操作。在一个方面中，工艺腔室是大气压外延沉积腔室，且工艺操作是大气压外延沉积操作。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117836920A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202280056676.5斯里维迪亚·纳塔拉詹
(22)申请日2022.07.20
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