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一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法.pdfVIP

一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法.pdf

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    本发明公开了一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法：采用化学法对单晶硅衬底进行预清洗及钝化：将硅衬底放入预先烘烤的真空腔室内，通入气体，利用真空腔室内的射频等离子体源对气体进行离化生成等离子体，等离子体对硅衬底进行物理和化学刻蚀；通入氮源气体，通过射频等离子体源将氮源气体激发为氮等离子体，氮等离子体与硅衬底进行预结合；启动真空腔室内的金属束源炉，将金属原子束流直接喷射到处理后获得的硅衬底上，金属原子束流在硅衬底表面与氮等离子体发生反应；硅衬底旋转周期性地依次通过束源炉和射频等离子体源上方，进行低温

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832058A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202311774116.6

    (22)申请日2023.12.22

    (71)申请人南昌大学

    地址330038

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