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AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片.pdf

    本申请涉及一种AlGaInP系外延层及其生长方法、发光芯片，在P型限制层远离有源层的一侧生长了P型欧姆接触层与P型AlGaInP出光层，利用P型AlGaInP出光层代替P型GaP窗口层实现了出光以及电流扩展的作用，同时，利用P型欧姆接触层代替了P型GaP窗口层实现了与P电极的欧姆接触，这样就可以不用再在P型限制层上生长P型GaP窗口层以及P型过渡层，有利于降低AlGaInP系外延层的生长难度，提升AlGaInP系外延层的生产效率。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832344A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202211198994.3H01L33/00(2010.01)

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