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- 2024-04-06 发布于四川
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本公开提供一种半导体存储器的测试方法和设备，包括向半导体存储器所有存储块中写入第一数据，重复执行先激活第偶数个存储块内字线，在第奇数个存储块内位线和第奇数个存储块内存储单元之间形成压差，后激活第奇数个存储块内字线，在第偶数个存储块内位线和第偶数个存储块内存储单元之间形成压差，从所有存储块中读出数据，将读出的数据与第一数据进行比较获得测试结果。通过如此设置，可以加剧位线和与该位线连接的存储单元之间漏电，实现对位线的位线接触垫和与该位线连接的存储单元中电容接触垫之间的漏电失效检测。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117831599A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202211202618.7
(22)申请日2022.09.29
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
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