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半导体器件的复合衬底及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-04-06 发布于四川
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半导体器件的复合衬底及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种半导体器件的复合衬底及其制备方法，其中，复合衬底包括：在原始衬底的背面沉积的金刚石层、及对原始衬底的正面物理研磨得到的原衬底层；其中，金刚石层的厚度大于原衬底层的厚度。本申请通过在原始衬底的背面沉积金刚石层，对原始衬底的正面进行物理研磨操作，可以得到包括金刚石层和原衬底层的复合衬底，金刚石层的厚度大于原衬底层的厚度，可以起到很好的散热作用，提高复合衬底的散热性能，可平衡散热性能和晶格失配之间的矛盾。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117832180A

    (43)申请公布日2024.04.05

    (21)申请号202211204101.1

    (22)申请日2022.09.29

    (71)申请人苏州能讯高能半导体有限公司

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