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本发明提供了一种超结IGBT器件及其制造方法，具体技术方案为：本发明通过P柱区将超结IGBT的正向导通电流路径和，关断空穴抽取路径及分离，并且将正面P型区与第二P柱区相连，这样形成了纵向PNP结构，在器件短路器件的强集电极发射极电压下开启，可以通过双极型晶体管形成超结IGBT结构的短路电流泄放通道。本发明提供了一种具有创新性和实用性的超结IGBT，通过优化电子注入增强结构和关断空穴抽取路径，显著提升了超结IGBT的导通性能、开关特性和短路能力的折中。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832085A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311860768.1
(22)申请日2023.12.31
(71)申请人龙腾半导体股份有
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