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本申请公开一种肖特基二极管的制备方法及装置，通过获取包含硅衬底的外延材料，对外延材料进行清洗，并对清洗后的外延材料进行隔离处理，得到隔离外延片；对隔离外延片进行刻蚀，得到第一外延片；在第一外延片的刻蚀区域进行欧姆金属沉积，并剥离形成欧姆金属图形；在形成欧姆金属图形后对第一外延片进行高温快速退火，以形成欧姆接触，得到第二外延片；对第二外延片进行光刻处理，并进行肖特基金属沉积，以形成肖特基金属接触，得到第三外延片；对第三外延片的硅衬底进行剥离处理，以得到肖特基二极管。该方案可以直接消除硅衬底本身对肖
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832084A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410044082.3
(22)申请日2024.01.11
(71)申请人中山大学
地址510275
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