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本申请提供一种功率器件及其制造方法，功率器件包括：衬底、外延层、至少一个半导体结构、控制结构层、第一电极和第二电极。衬底和外延层为N型掺杂的氧化镓，这样衬底和外延层就能够实现电流导通功能。P型掺杂的半导体结构设置于外延层中，构成电场屏蔽结构，利用电场屏蔽结构阻挡控制结构层受到高电场的影响，以形成耐高电压的功率器件。控制结构层包括接触层，接触层和外延层之间的能带势垒小于目标阈值，接触层和外延层具有较小的能带势垒，容易产生导通电流。衬底和外延层为N型掺杂形成导通电流也较为容易，这样功率器件就具有较小
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832284A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202410238757.8
(22)申请日2024.03.01
(71)申请人湖北九峰山实验室
地址4302
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