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- 2024-04-06 发布于四川
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本发明涉及一种沟槽型SiC器件的自对准方法，所述自对准方法包括在SiC衬底层上生长SiC外延层；生长第一掩膜层；生长第二掩膜层涂覆光刻胶；刻蚀多层掩膜；制备有多种厚度的台阶式掩膜；去除光刻胶；刻蚀形成SiC沟槽；去除第二掩膜层；离子注入。本发明适用于沟槽型SiC器件的自对准工艺，并且与现有工艺兼容，降低了工艺的复杂度，可有效提高自对准工艺的一致性、稳定性与可靠性，克服了因两次光刻套准的工艺容差导致的元胞两侧沟道长度不对称的技术问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832076A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311803547.0
(22)申请日2023.12.25
(71)申请人西电芜湖研究院有
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