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本发明涉及一种稳定富铜硅化物相的方法，其中，将硅层结构体施用至载体基底。本发明所要解决的问题特别是提供一种方法，由此可以以受控的方式改变相分离的性质和微结构体形成，同时工艺应当可以尽可能简单、快速和有效地进行。该问题通过稳定富铜硅化物相的方法来解决，其中，将硅层结构体施用至载体基底，施用由至少一种金属和硅的混合物构成的硅层结构体层，随后对该混合物进行快速退火，其中，通过设置操作参数(例如，在快速退火中在0.01至100ms的范围内的脉冲持续时间和/或在0.1至100J/cm2的范围内的脉冲能量以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117836973A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202280054307.2(72)发明人U·赖希曼M·纽伯特
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