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本发明提供了一种高质量石墨烯制备方法，包括：在正式生长前在700‑1000℃的温度下对铜箔进行0.5‑5h的退火预处理；以预处理的铜箔为基底以碳源气体在800‑1000℃的条件下吸附于铜箔上，在氢气的辅助下经过60‑300s的生长时间制备石墨烯薄膜；将石墨烯转移至目标基底进行表征测试。从生长基底和生长条件两个方面对石墨烯的生长进行调控，可从根本上解决石墨烯生长质量不佳的现状。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117819537A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311754383.7C23C16/44(2006.01)
(22)申请日2023.12.
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