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提供晶片的加工方法,能够防止产生晶片的加工不良。该晶片的加工方法对晶片进行加工,该晶片具有器件区域以及围绕该器件区域的外周剩余区域,该器件区域具有:多个器件,它们分别形成于由交叉的多条分割预定线划分的多个区域的正面侧;以及电极,其沿着该区域的厚度方向埋入该区域的内部且与该器件连接,其中,该晶片的加工方法具有如下的步骤:在外周剩余区域形成阶梯差部;借助粘接剂将晶片的正面侧固定于载体基板;对晶片的背面侧进行磨削;对晶片的背面侧提供药液而对晶片进行蚀刻从而使电极从晶片的背面侧突出;利用绝缘膜将晶片的背
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111276397A
(43)申请公布日
2020.06.12
(21)申请号20191
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