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公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；沟槽隔离结构，位于半导体层内，沟槽隔离结构为环形，沟槽隔离结构内部的区域为有源区，沟槽隔离结构以及沟槽隔离结构外侧的区域为终端区；第二掺杂类型的漂移区，位于半导体层内，漂移区的一部分位于有源区内，漂移区的另一部分位于沟槽隔离结构下方；第一掺杂类型的体区，部分体区位于有源区内；第二掺杂类型的源区，位于体区内；第二掺杂类型的漏区，位于漂移区内；栅结构，位于部分体区和漂移区上，且位于源区和漏区之间；其中，源区和漏区位于有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832269A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311369585.X
(22)申请日2023.10.19
(71)申请人杭州士兰微电子股份有限公司
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