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本申请提供一种半导体器件及其制备方法，首先在衬底上表面形成器件层，并形成穿过器件层的接触孔，再将上述结构放置于具有掺杂离子气氛的设备中进行高温退火，以形成位于接触孔底部的接触区，最后在接触孔中形成金属栓塞。接触区的形成有助于提高金属栓塞底部的离子掺杂浓度，从而降低金属栓塞与衬底之间的接触电阻，改善半导体器件的电学性能；高温退火过程还能够蒸发出器件里各个膜层中可能存在的水汽，使膜层更加致密，使各个膜层之间的连接更加紧密，增加器件的可靠性；本申请将离子扩散过程和高温退火过程集成到一个工艺过程中，节省
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832080A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311715087.6H01L23/522(2006.01)
(22)申请日2023.12
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