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本申请公开了一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法，该覆铜板包括基板材料、玻璃纤维布和铜箔，其中基板材料包括以下质量份数的原料：复合环氧树脂100份、砜类固化剂20～25份、改性球型二氧化硅30～150份、白色染色剂4.5～24份和分散剂0.15～3份，所述复合环氧树脂包括质量比为（3～4）：（6～7）的E型环氧树脂和多官能环氧树脂；所述改性球型二氧化硅表面包含萘结构。多官能环氧树脂上含有的反应活性位点多，可以在固化过程中提高环氧树脂与固化剂之间的反应交联，提高覆铜板基板材料的玻璃化转变温度；而萘
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117818188A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311721625.2B32B15/20(2006.01)
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