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本发明公开了一种低隧穿泄漏电流的功率器件及其制造方法。器件包括衬底及其上第一导电类型漂移区；位于漂移区上方的沟槽，漂移区及上方设有沟槽，且沟槽两侧设有异质材料区，异质材料区下方设有第二导电类型耐压区域，耐压区与沟槽间以漂移区隔开，沟槽内设有栅电极，栅电极下方设有对称分布的埋层电极，沟槽、栅电极、埋层电极间分别以介质层隔离，异质材料区上方设有源电极，其与沟槽内栅电极间以介质层隔开；衬底下方设有漏电极。本发明的优势在于，器件通过隧穿原理导通，有效降低导通电阻并避免了由寄生三极管引起的闩锁效应。埋层电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117832273A
(43)申请公布日2024.04.05
(21)申请号202311748601.6
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人东南大学
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